LY.4-LT-4型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

   本儀器根據國際通用方法高頻光電導衰退法的原理設計，由穩壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。

技 術 指 標 ：

少子壽命測量范圍  1μs ～ 10000μs

可測電阻率下限  ≥0.1 Ω ? ?  cm

可測樣品類型：  塊狀和片狀的單晶及多晶半導體材料

紅外光源波長：1.06～1.09 μm;  脈沖電流：5A～20A 

配備光源類型 ： 重復頻率＞25 次/s 脈寬＞60μs；余輝<1 μS；

高頻源：  頻率 30MHz；

低輸出阻抗 ： 輸出功率＞ 1W

前置放大器 ： 放大倍數約 25，頻寬 2 Hz-2 MHz

測量方式：  采用對標準曲線讀數方式

示波器 ： 頻帶寬度不低于 10MHz，Y 軸增益及掃描速度均應連續可調

儀器工作條件  溫度：10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz，功耗＜50W